7月17日，无晶圆厂制造商Alliance Memory宣布扩大其高速CMOS移动低功耗SDRAM的产品范围，推出四款不同密度的新型LPDDR4X器件：2Gb AS4C128M16MD4V-062BAN、4Gb AS4C256M16MD4V-062BAN、8Gb AS4C512M16MD4V-053BIN和16Gb AS4C512M32MD4V-053BIN，可在200球FBGA封装中，额定功率降低约为50%，从而实现更高的能效。
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LPDDR4 SDRAM的运行电压为1.1V，而这四款新型器件采用0.6V的低压运行，延长了消费、商业和工业市场便携式电子产品的电池寿命，包括智能手机、智能扬声器、安全监控系统以及其他利用AI和5G技术的物联网设备。LPDDR4X SDRAM可提高嵌入式应用中高级音频和超高分辨率视频的效率，提供高达1.86GHz的快速时钟速度，实现3.7Gbps的极高传输速率。
对于汽车应用（包括ADAS系统），符合AEC-Q100标准的AS4C128M16MD4V-062BAN和AS4C256M16MD4V-062BAN可实现-40°C至+105°C的温度范围和片上ECC，以提高可靠性。AS4C512M16MD4V-053BIN和AS4C512M32MD4V-053BIN的工作温度范围为-40°C至+85°C。
AS4C512M16MD4V-053BIN、AS4C128M16MD4V-062BAN和AS4C256M16MD4V-062BAN为单通道器件，且均由8个16位组组成，而AS4C512M32MD4V-053BIN提供两个通道。所有四个器件均支持完全同步操作；可编程读写突发长度为16、32和动态；和可选择的输出驱动强度。片上温度传感器可控制自刷新率。
Alliance Memory的LPDDR4X SDRAM为高带宽、高性能内存系统应用中的众多类似解决方案提供可靠的、引脚对引脚兼容的替代品，从而无需进行成本高昂的重新设计和部件重新鉴定。
