6月27日，半导体供应商Diodes宣布推出符合汽车标准的车规级碳化硅（SiC）MOSFET：DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步增强其宽带隙产品系列。两款N沟道MOSFET可满足市场对SiC解决方案不断增长的需求，可在电动和混合动力电动汽车（EV/HEV）汽车子系统中实现更高的效率和更高的功率密度，其中子系统包括电池充电器、车载充电器（OBC）、高功率电源、高效DC-DC转换器、电机驱动器和牵引逆变器。
图片来源：Diodes
DMWSH120H90SM4Q可在1200VDS工作电压下安全可靠地运行，栅源电压（Vgs）为+15/-4V，并且在15Vgs下的RDS（ON）为75mΩ（典型值）。该器件专为OBC、汽车电机驱动器、EV/HEV中的DC-DC转换器以及电池充电系统而设计。
DMWSH120H28SM4Q的工作电压高达1200VDS，栅源电压（Vgs）为+15/-4V，并且在15Vgs下具有20mΩ（典型值）的较低RDS（ON）。该MOSFET专为其他EV/HEV子系统中的电机驱动器、EV牵引逆变器和DC-DC转换器而设计。凭借低RDS（ON），这些MOSFET可在需要高功率密度的应用中以更低的温度运行。
这两款产品都具有低导热率（RθJC=0.6°C/W），其中DMWSH120H90SM4Q的漏极电流达40A，DMWSH120H28SM4Q的漏极电流达100A。两款产品还具有快速本征且稳健的体二极管，其中DMWSH120H90SM4Q可实现反向恢复电荷（Qrr）为108.52nC，而DMWSH120H28SM4Q可实现317.93nC，因此能够执行快速开关并降低功率损耗。
通过使用平面制造工艺，Diodes创造了新型MOSFET，可在汽车应用中提供更稳健、更可靠的性能，并且较之前版本相比，漏极电流、击穿电压、结温和功率环均有所增加。两款MOSFET采用TO247-4（WH型）封装，提供额外的开尔文检测引脚，可以连接到电源以优化开关性能，从而实现更高的功率密度。
