据外媒报道，美格纳半导体公司（Magnachip Semiconductor）宣布推出新600V超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFET）系列，共包含九种采用专有设计技术的产品。
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Magnachip的专有设计可将特定导通电阻（RSP）降低约10%，并且保持与上一代MOSFET相同的单元间距。此外，新600V SJ MOSFET系列采用快速恢复体二极管，显著提高了系统效率，同时减少了反向恢复时间（trr）和开关损耗。因此，评估MOSFET综合性能的品质因数与上一代产品相比提高了10%以上。新600V SJ MOSFET系列可广泛用于工业应用，例如太阳能逆变器、储能系统、不间断电源系统和各种电子产品。
新MOSFET系列中，MMQ60R044RFTH产品具有仅为44mΩ的极低RDS（on），因此是电动汽车充电器和服务器的最佳选择。一国外研究机构称，2023年至2026年，用于混合动力和电动汽车和服务器的Si MOSFET市场的复合年增长率将分别为11%和7%。
Magnachip首席执行官YJ Kim表示：“在推出这些600V SJ MOSFET产品后，我们的目标是在2023年下半年推出采用快速恢复体二极管的新型650V和700V SJ MOSFET产品。基于新MOSFET系列的成功，我们将继续开发下一代电源解决方案，以满足快速变化的市场需求和客户期望。”
